SiC ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ |
ବର୍ଣ୍ଣନା
ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (SiC) ହେଉଛି ଗ୍ରୁପ୍ IV-IV ର ଏକ ବାଇନାରୀ ଯ ound ଗିକ, ଏହା ପର୍ଯ୍ୟାୟ ଟେବୁଲର ଗ୍ରୁପ୍ ଚତୁର୍ଥରେ ଏକମାତ୍ର ସ୍ଥିର କଠିନ ଯ ound ଗିକ, ଏହା ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର |SiC ର ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ତାପଜ, ଯାନ୍ତ୍ରିକ, ରାସାୟନିକ ଏବଂ ବ electrical ଦୁତିକ ଗୁଣ ରହିଛି, ଯାହା ଏହାକୁ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା, ଉଚ୍ଚ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣ ତିଆରି ପାଇଁ ସର୍ବୋତ୍ତମ ସାମଗ୍ରୀ ଭାବରେ ପରିଣତ କରେ, SiC ମଧ୍ୟ ଏକ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ସାମଗ୍ରୀ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୋଇପାରେ | GaN- ଆଧାରିତ ନୀଳ ଆଲୋକ ନିର୍ଗତ ଡାୟୋଡ୍ ପାଇଁ |ବର୍ତ୍ତମାନ, 4H-SiC ବଜାରରେ ମୁଖ୍ୟ ସ୍ରୋତ ଉତ୍ପାଦ ଅଟେ, ଏବଂ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି ପ୍ରକାରକୁ ସେମି-ଇନସୁଲେଟିଂ ପ୍ରକାର ଏବଂ N ପ୍ରକାରରେ ବିଭକ୍ତ କରାଯାଇଛି |
ଗୁଣଧର୍ମ
| ଆଇଟମ୍ | | 2 ଇଞ୍ଚ 4H N- ପ୍ରକାର | | ||
| ବ୍ୟାସ | 2inch (50.8mm) | ||
| ମୋଟା | | 350 +/- 25um | ||
| ଓରିଏଣ୍ଟେସନ୍ | ଅଫ୍ ଅକ୍ଷ 4.0˚ <1120> ± 0.5˚ ଆଡକୁ | | ||
| ପ୍ରାଥମିକ ଫ୍ଲାଟ ଓରିଏଣ୍ଟେସନ୍ | | <1-100> ± 5 ° | | ||
| ସେକେଣ୍ଡାରୀ ଫ୍ଲାଟ ଓରିଏଣ୍ଟେସନ୍ | ପ୍ରାଥମିକ ଫ୍ଲାଟରୁ 90.0˚ CW ± 5.0˚, ସି ଫେସ୍ ଅପ୍ | | ||
| ପ୍ରାଥମିକ ଫ୍ଲାଟ ଲମ୍ବ | | 16 ± 2.0 | ||
| ଦ୍ୱିତୀୟ ଫ୍ଲାଟ ଲମ୍ବ | | 8 ± 2.0 | ||
| ଗ୍ରେଡ୍ | ଉତ୍ପାଦନ ଗ୍ରେଡ୍ (P) | ଅନୁସନ୍ଧାନ ଗ୍ରେଡ୍ (R) | ଡମି ଗ୍ରେଡ୍ (D) |
| ପ୍ରତିରୋଧକତା | | 0.015 ~ 0.028 Ω · ସେମି | | <0.1 Ω · cm | <0.1 Ω · cm |
| ମାଇକ୍ରୋପାଇପ୍ ସାନ୍ଧ୍ରତା | | ≤ 1 ମାଇକ୍ରୋପାଇପ୍ / cm² | | ≤ 1 0 ମାଇକ୍ରୋପାଇପ୍ / cm² | | ≤ 30 ମାଇକ୍ରୋପାଇପ୍ / cm² | |
| ପୃଷ୍ଠଭୂମି କଠିନତା | | ସି ମୁହଁ CMP Ra <0.5nm, C Face Ra <1 nm | N / A, ବ୍ୟବହାର ଯୋଗ୍ୟ କ୍ଷେତ୍ର> 75% | | |
| TTV | <8 ଓମ୍ | <10um | <15 ଓମ୍ |
| ଧନୁ | <± 8 ଓମ୍ | <± 10um | <± 15um |
| ଯୁଦ୍ଧ | <15 ଓମ୍ | <20 ଓମ୍ | <25 ଓମ୍ |
| ଫାଟଗୁଡିକ | | କିଛି ନୁହେଁ | | ସଂଗୃହିତ ଲମ୍ବ ≤ 3 ମିମି | | ସଂକଳନ ଲମ୍ବ ≤10mm, |
| ସ୍କ୍ରାଚ୍ | | ≤ 3 ସ୍କ୍ରାଚ୍, ସଂକଳନ | | ≤ 5 ସ୍କ୍ରାଚ୍, ସଂକଳନ | | ≤ 10 ସ୍କ୍ରାଚ୍, ଏକତ୍ରିତ | |
| ହେକ୍ସ ପ୍ଲେଟ୍ | | ସର୍ବାଧିକ 6 ପ୍ଲେଟ୍, | ସର୍ବାଧିକ 12 ପ୍ଲେଟ୍, | N / A, ବ୍ୟବହାର ଯୋଗ୍ୟ କ୍ଷେତ୍ର> 75% | |
| ପଲିଟାଇପ୍ କ୍ଷେତ୍ରଗୁଡିକ | | କିଛି ନୁହେଁ | | ସଂଗୃହିତ କ୍ଷେତ୍ର ≤ 5% | | ସଂଗୃହିତ କ୍ଷେତ୍ର ≤ 10% | |
| ପ୍ରଦୂଷଣ | କିଛି ନୁହେଁ | | ||
