GAGG: Ce Scintillator, GAGG Crystal, GAGG Scintillation Crystal |
ସୁବିଧା
● ଭଲ ଅଟକାଇବା ଶକ୍ତି |
● ଉଚ୍ଚ ଉଜ୍ଜ୍ୱଳତା |
● ନିମ୍ନ ପରବର୍ତ୍ତୀ
● ଦ୍ରୁତ କ୍ଷୟ ସମୟ |
ଆବେଦନ
● ଗାମା କ୍ୟାମେରା |
ET PET, PEM, SPECT, CT
● ଏକ୍ସ-ରେ ଏବଂ ଗାମା ରଶ୍ମି ଚିହ୍ନଟ |
● ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ପାତ୍ର ଯାଞ୍ଚ |
ଗୁଣଧର୍ମ
| ଟାଇପ୍ କରନ୍ତୁ | | GAGG-HL | GAGG ବାଲାନ୍ସ | | GAGG-FD |
| କ୍ରିଷ୍ଟାଲ୍ ସିଷ୍ଟମ୍ | | କ୍ୟୁବିକ୍ | | କ୍ୟୁବିକ୍ | | କ୍ୟୁବିକ୍ | |
| ଘନତା （g / cm3） | 6.6 | 6.6 | 6.6 |
| ହାଲୁକା ଫଳ (ଫୋଟନ୍ / କେଭ୍) | 60 | 50 | 30 |
| କ୍ଷୟ ସମୟ (ns) | ≤150 | ≤90 | ≤48 |
| କେନ୍ଦ୍ର ତରଙ୍ଗଦ eng ର୍ଘ୍ୟ （nm） | 530 | 530 | 530 |
| ତରଳିବା ପଏଣ୍ଟ (℃) | 2105 ℃ | 2105 ℃ | 2105 ℃ |
| ପରମାଣୁ ଗୁଣବତ୍ତା | 54 | 54 | 54 |
| ଶକ୍ତି ସଂକଳ୍ପ | ＜ 5% | ＜ 6% | ＜ 7% |
| ଆତ୍ମ-ବିକିରଣ | | No | No | No |
| ହାଇଗ୍ରୋସ୍କୋପିକ୍ | | No | No | No |
ଉତ୍ପାଦ ବର୍ଣ୍ଣନା
GAGG: Ce (Gd3Al2Ga3O12) ଗ୍ୟାଡୋଲିନିୟମ୍ ଆଲୁମିନିୟମ୍ ଗାଲିୟମ୍ ଗାର୍ନେଟ୍ ସିରିୟମ୍ ସହିତ ଡୋପ୍ ହୋଇଛି |ଏକକ ଫୋଟନ୍ ନିର୍ଗମନ ଗଣିତ ଟମୋଗ୍ରାଫି (SPECT), ଗାମା-ରେ ଏବଂ କମ୍ପପଟନ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଚିହ୍ନଟ ପାଇଁ ଏହା ଏକ ନୂତନ ସ୍କିଣ୍ଟିଲେଟର |ସିରିୟମ୍ ଡୋପେଡ୍ GAGG: Ce ରେ ଅନେକ ଗୁଣ ଅଛି ଯାହା ଏହାକୁ ଗାମା ସ୍ପେକ୍ଟ୍ରସ୍କୋପି ଏବଂ ମେଡିକାଲ୍ ଇମେଜିଙ୍ଗ୍ ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ କରିଥାଏ |ଏକ ଉଚ୍ଚ ଫୋଟନ୍ ଅମଳ ଏବଂ ନିର୍ଗମନ ଶିଖର ପ୍ରାୟ 530 nm ସାମଗ୍ରୀକୁ ସିଲିକନ୍ ଫଟୋ-ମଲ୍ଟିପ୍ଲେର୍ ଡିଟେକ୍ଟର ଦ୍ୱାରା ପ read ଼ିବା ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ କରିଥାଏ |ବିଭିନ୍ନ କ୍ଷେତ୍ରରେ ଗ୍ରାହକଙ୍କ ପାଇଁ ଏପିକ୍ ସ୍ଫଟିକ୍ 3 ପ୍ରକାରର GAGG ବିକଶିତ କରେ: ଦ୍ରୁତ କ୍ଷୟ ସମୟ (GAGG-FD) ସ୍ଫଟିକ୍, ସାଧାରଣ (GAGG- ବାଲାନ୍ସ) ସ୍ଫଟିକ୍, ଉଚ୍ଚ ଆଲୋକ ଆଉଟପୁଟ୍ (GAGG-HL) ସ୍ଫଟିକ୍ ସହିତ ସି ସ୍ଫଟିକ୍ |GAGG: ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ଶିଳ୍ପ କ୍ଷେତ୍ରରେ Ce ଏକ ଅତ୍ୟନ୍ତ ପ୍ରତିଜ୍ଞାକାରୀ ସ୍କିଣ୍ଟିଲେଟର, ଯେତେବେଳେ ଏହା 115kv, 3mA ତଳେ ଜୀବନ ପରୀକ୍ଷଣରେ ବର୍ଣ୍ଣିତ ହୋଇଥିଲା ଏବଂ ସ୍ଫଟିକଠାରୁ 150 ମିଲିମିଟର ଦୂରରେ ଅବସ୍ଥିତ ବିକିରଣ ଉତ୍ସ, 20 ଘଣ୍ଟା ପରେ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ତାଜା ସହିତ ସମାନ | ଗୋଟିଏ |ଏହାର ଅର୍ଥ ଏକ୍ସ-ରେ ବିକିରଣରେ ଉଚ୍ଚ ମାତ୍ରାକୁ ପ୍ରତିହତ କରିବା ପାଇଁ ଏହାର ଏକ ଭଲ ଆଶା ଅଛି, ଅବଶ୍ୟ ଏହା ବିକିରଣ ଅବସ୍ଥା ଉପରେ ନିର୍ଭର କରେ ଏବଂ NDT ପାଇଁ GAGG ସହିତ ଅଧିକ ସଠିକ୍ ପରୀକ୍ଷା କରାଯିବା ଆବଶ୍ୟକ |ଏକକ GAGG ପାଖରେ: Ce ସ୍ଫଟିକ୍, ଆମେ ଏହାକୁ ର ar ଖ୍ୟ ଏବଂ dim ଟି ଡାଇମେନ୍ସନାଲ୍ ଆରେ ତିଆରି କରିବାରେ ସକ୍ଷମ, ଆବଶ୍ୟକତା ଅନୁଯାୟୀ ପିକ୍ସେଲ ଆକାର ଏବଂ ବିଛିନ୍ନକାରୀ ହାସଲ କରାଯାଇପାରେ |ଆମେ ମଧ୍ୟ ସିରାମିକ୍ GAGG: Ce ପାଇଁ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ବିକଶିତ କରିଛୁ, ଏହାର ଭଲ ସମସ୍ୟାର ସମାଧାନ ସମୟ (CRT), ଦ୍ରୁତ କ୍ଷୟ ସମୟ ଏବଂ ଅଧିକ ଆଲୋକ ଉତ୍ପାଦନ |
ଶକ୍ତି ରେଜୋଲୁସନ: GAGG Dia2 ”x2”, 8.2% Cs |137@ 662 କେଭ୍ |
ପରବର୍ତ୍ତୀ ପ୍ରଦର୍ଶନ
ହାଲୁକା ଆଉଟପୁଟ୍ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା |
ଟାଇମିଂ ରିଜୋଲ୍ୟୁସନ୍: ଗ୍ୟାଗ୍ ଦ୍ରୁତ କ୍ଷୟ ସମୟ |
(କ) ସମୟ ବିଭେଦନ: CRT = 193ps (FWHM, ଶକ୍ତି ୱିଣ୍ଡୋ: [440keV 550keV])
(କ) ଟାଇମିଂ ରିଜୋଲ୍ୟୁସନ୍ ବନାମପକ୍ଷ ଭୋଲଟେଜ୍: (ଶକ୍ତି ୱିଣ୍ଡୋ: [440keV 550keV])
ଦୟାକରି ଧ୍ୟାନ ଦିଅନ୍ତୁ ଯେ GAGG ର ଶିଖର ନିର୍ଗମନ 520nm ହୋଇଥିବାବେଳେ SiPM ସେନ୍ସରଗୁଡିକ 420nm ଶିଖର ନିର୍ଗମନ ସହିତ ସ୍ଫଟିକ ପାଇଁ ଡିଜାଇନ୍ ହୋଇଛି |420nm ପାଇଁ PDE ତୁଳନାରେ 520nm ପାଇଁ PDE 30% କମ୍ ଅଟେ |GAGG ର CRT 193ps (FWHM) ରୁ 161.5ps (FWHM) କୁ ଉନ୍ନତ କରାଯାଇପାରେ ଯଦି 520nm ପାଇଁ SiPM ସେନ୍ସର PDE 420nm ପାଇଁ PDE ସହିତ ମେଳ ହୋଇଥାନ୍ତା |
