GaAs ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ |
ବର୍ଣ୍ଣନା
ଗାଲିୟମ୍ ଆର୍ସେନାଇଡ୍ (GaAs) ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ଏବଂ ପରିପକ୍ୱ ଗୋଷ୍ଠୀ III-Ⅴ ଯ ound ଗିକ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର, ଏହା ଅପ୍ଟୋଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଏବଂ ମାଇକ୍ରୋ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ କ୍ଷେତ୍ରରେ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |GaA ଗୁଡିକ ମୁଖ୍ୟତ two ଦୁଇଟି ଶ୍ରେଣୀରେ ବିଭକ୍ତ: ସେମି-ଇନସୁଲେଟିଂ GaA ଏବଂ N- ପ୍ରକାର GaA |ସେମି-ଇନସୁଲେଟିଂ GaA ଗୁଡିକ ମୁଖ୍ୟତ M MESFET, HEMT ଏବଂ HBT ସଂରଚନା ସହିତ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ତିଆରି ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ଯାହା ରାଡାର, ମାଇକ୍ରୋୱେଭ୍ ଏବଂ ମିଲିମିଟର ତରଙ୍ଗ ଯୋଗାଯୋଗ, ଅଲ୍ଟ୍ରା ହାଇ ସ୍ପିଡ୍ କମ୍ପ୍ୟୁଟର ଏବଂ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ଫାଇବର ଯୋଗାଯୋଗରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |N- ପ୍ରକାର GaA ଗୁଡିକ ମୁଖ୍ୟତ LD LD, LED, ଇନଫ୍ରାଡ୍ ଲେଜର, କ୍ୱାଣ୍ଟମ୍ ଭଲ ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ଲେଜର ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଦକ୍ଷତା ସ ar ର କୋଷରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |
ଗୁଣଧର୍ମ
କ୍ରିଷ୍ଟାଲ୍ | ଡୋପଡ୍ | | ଚାଳନା ପ୍ରକାର | | ପ୍ରବାହର ଏକାଗ୍ରତା cm-3 | | ଘନତା cm-2 | | ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପଦ୍ଧତି | |
GaAs | କିଛି ନୁହେଁ | | Si | / | <5 × 105 | LEC |
Si | N | > 5 × 1017 | |||
Cr | Si | / | |||
Fe | N | ~ 2 × 1018 | |||
Zn | P | > 5 × 1017 |
GaAs ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ସଂଜ୍ଞା |
GaAs ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଗାଲିୟମ୍ ଆର୍ସେନାଇଡ୍ (GaAs) ସ୍ଫଟିକ୍ ପଦାର୍ଥରେ ନିର୍ମିତ ଏକ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ କୁ ବୁ .ାଏ |GaAs ହେଉଛି ଏକ ଯ ound ଗିକ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଯାହାକି ଗାଲିୟମ୍ (ଗା) ଏବଂ ଆର୍ସେନିକ୍ (ଆସ) ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକୁ ନେଇ ଗଠିତ |
GaAs ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଗୁଡିକ ସେମାନଙ୍କର ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଗୁଣ ହେତୁ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଏବଂ ଅପ୍ଟୋଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ କ୍ଷେତ୍ରରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |GaAs ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ର କିଛି ମୁଖ୍ୟ ଗୁଣ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ:
1. ଉଚ୍ଚ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଗତିଶୀଳତା: ସିଲିକନ୍ (ସି) ପରି ଅନ୍ୟ ସାଧାରଣ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀ ଅପେକ୍ଷା GaA ର ଅଧିକ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଗତିଶୀଳତା ଅଛି |ଏହି ଚରିତ୍ରଟି ଉଚ୍ଚ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣ ପାଇଁ GaA ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ କୁ ଉପଯୁକ୍ତ କରିଥାଏ |
Direct। ସିଧାସଳଖ ବ୍ୟାଣ୍ଡ ଫାଙ୍କ: GaA ଗୁଡ଼ିକର ଏକ ସିଧାସଳଖ ବ୍ୟାଣ୍ଡ ଫାଙ୍କା ଅଛି, ଯାହାର ଅର୍ଥ ହେଉଛି ଯେ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଏବଂ ଛିଦ୍ରଗୁଡିକ ପୁନର୍ବାର ମିଳିତ ହେଲେ ଦକ୍ଷ ଆଲୋକ ନିର୍ଗମନ ହୋଇପାରେ |ଏହି ଚରିତ୍ରଟି ଅପ୍ଟୋଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ GaA ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍କୁ ଆଦର୍ଶ କରିଥାଏ ଯେପରିକି ହାଲୁକା ନିର୍ଗତ ଡାୟୋଡ୍ (ଏଲଇଡି) ଏବଂ ଲେଜର |
3. ୱାଇଡ୍ ବ୍ୟାଣ୍ଡଗାପ୍: GaA ର ସିଲିକନ୍ ଅପେକ୍ଷା ଏକ ବ୍ୟାପକ ବ୍ୟାଣ୍ଡଗ୍ୟାପ୍ ଅଛି, ଯାହା ଏହାକୁ ଅଧିକ ତାପମାତ୍ରାରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରିବାକୁ ସକ୍ଷମ କରିଥାଏ |ଏହି ସମ୍ପତ୍ତି GaAs- ଆଧାରିତ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକୁ ଉଚ୍ଚ-ତାପମାତ୍ରା ପରିବେଶରେ ଅଧିକ ଦକ୍ଷତାର ସହିତ କାର୍ଯ୍ୟ କରିବାକୁ ଅନୁମତି ଦିଏ |
4. କମ୍ ଶବ୍ଦ: GaAs ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ କମ୍ ଶବ୍ଦ ସ୍ତର ପ୍ରଦର୍ଶିତ କରେ, ଯାହା ସେମାନଙ୍କୁ କମ୍ ଶବ୍ଦ ଆମ୍ପ୍ଲାଇଫର୍ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ସମ୍ବେଦନଶୀଳ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ କରିଥାଏ |
ଉଚ୍ଚ-ଗତି ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର, ମାଇକ୍ରୋୱେଭ୍ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ (ଆଇସି), ଫୋଟୋଭୋଲ୍ଟିକ୍ କୋଷ, ଫୋଟନ୍ ଡିଟେକ୍ଟର ଏବଂ ସ ar ର କୋଷ ସମେତ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଏବଂ ଅପ୍ଟୋଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣରେ GaA ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |
ମେଟାଲ୍ ଅର୍ଗାନିକ୍ କେମିକାଲ୍ ବାଷ୍ପ ଡିପୋଜିସନ (MOCVD), ମଲିକୁଲାର୍ ବିମ୍ ଏପିଟାକ୍ସି (MBE) କିମ୍ବା ଲିକ୍ୱିଡ୍ ଫେଜ୍ ଏପିଟାକ୍ସି (LPE) ପରି ବିଭିନ୍ନ କ ques ଶଳ ବ୍ୟବହାର କରି ଏହି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଗୁଡିକ ପ୍ରସ୍ତୁତ କରାଯାଇପାରିବ |ବ୍ୟବହୃତ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପଦ୍ଧତି ଇଚ୍ଛିତ ପ୍ରୟୋଗ ଏବଂ GaAs ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ର ଗୁଣାତ୍ମକ ଆବଶ୍ୟକତା ଉପରେ ନିର୍ଭର କରେ |